Bu yazıda, devrenin nihai sonucunu etkilemeden bir BJT'yi bir MOSFET ile doğru şekilde değiştirme yöntemini tartışıyoruz.

Giriş

MOSFET'ler, güç anahtarlama devrelerini ve uygulamalarını hassas bir şekilde yönetmek için elektronik, transistörler veya BJT'ler alanına gelene kadar.

Bipolar Kavşak Transistörleri (BJT'ler) bile muazzam esneklik ve düşük maliyet nedeniyle göz ardı edilemez olsa da, MOSFET'ler de ağır yükleri değiştirmek söz konusu olduğunda ve bu bileşenlerle ilişkili yüksek verimlilik nedeniyle kesinlikle oldukça popüler hale geldi.

Ancak bu iki muadili, işlevleri ve tarzları ile benzer görünseler de bu iki bileşen, özellikleri ve konfigürasyonları ile tamamen farklıdır.

BJT ve MOSFET Arasındaki Fark

Bir BJT ve bir MOSFET arasındaki temel fark, bir BJT işleminin akıma bağlı olması ve yük ile orantılı olarak arttırılması gerektiğidir, oysa bir mosfet gerilime bağlıdır.

Ancak burada MOSFET, bir BJT'ye göre bir avantaj elde ediyor, çünkü voltaj kolayca manipüle edilebilir ve çok fazla sorun olmadan gerekli derecelere ulaşılabilir, bunun aksine artan akım, verilecek daha fazla güç anlamına gelir, bu da kötü verimlilik, daha hantal konfigürasyonlar vb.

Bir MOSFET'in BJT'ye karşı bir diğer büyük avantajı, yüksek giriş direncidir; bu, cihaz tarafından değiştirilen yük ne kadar büyük olursa olsun, herhangi bir mantık IC ile doğrudan entegre edilmeyi mümkün kılar. Bu avantaj aynı zamanda birçok MOSFET'i çok düşük akım girişleriyle (mA cinsinden) bile paralel olarak bağlamamıza izin verir.

MOSFET'ler temelde iki tiptedir, yani. artırma mod türü ve tüketme mod türü. Geliştirme türü daha sık kullanılır ve yaygın olanıdır.

“Galvanometre ne amaçla kullanılır? ”

N-tipi MOSFET'ler, kapılarına belirli bir pozitif voltaj uygulanarak AÇIK konuma getirilebilir veya etkinleştirilebilirken, P-tipi MOSFET'ler AÇIK hale getirmek için tam tersi olan negatif voltaj gerektirir.

BJT Baz Direnci vs MOSFET Kapı Direnci

Yukarıda açıklandığı gibi, bir BJT'nin temel anahtarlaması akıma bağlıdır. Yani, taban akımının kollektör yük akımındaki artışla orantılı olarak artırılması gerekir.

Bu, bir BJT'deki temel direncin önemli bir rol oynadığı ve yükün en iyi şekilde AÇIK konuma getirildiğinden emin olmak için doğru şekilde hesaplanması gerektiği anlamına gelir.

Bununla birlikte, bir BJT için baz voltajı, bağlı yükün tatmin edici bir şekilde anahtarlanması için 0,6 ila 1 volt kadar düşük olabileceğinden çok önemli değildir.

MOSFET'ler ile bunun tam tersi, 1 ila 5 mA kadar düşük akımla 3 V ile 15 V arasındaki herhangi bir voltajda onları AÇIK duruma getirebilirsiniz.

Bu nedenle, bir BJT için bir temel direnç çok önemli olabilir, ancak MOSFET'in kapısı için bir direnç önemsiz olabilir. Bununla birlikte, cihazı ani voltaj yükselmelerinden ve geçişlerinden korumak için düşük değerli bir geçit direnci dahil edilmelidir.

Çoğu dijital ve analog IC'den 5 V'un üzerindeki veya 12 V'a kadar olan voltajlar kolayca elde edilebildiğinden, bir MOSFET geçidi, yük akımından bağımsız olarak bu tür herhangi bir sinyal kaynağıyla hızlı bir şekilde arayüzlenebilir.

Transistör (BJT) MOSFET ile Nasıl Değiştirilir

Genel olarak, ilgili kutuplara dikkat etmemiz şartıyla, bir BJT'yi bir MOSFET ile kolayca değiştirebiliriz.

Bir NPN BJT için, BJT'yi aşağıdaki şekilde doğru şekilde belirlenmiş bir MOSFET ile değiştirebiliriz:

Temel direnci devreden çıkarın, çünkü artık bir MOSFET ile buna ihtiyacımız yok.
N-MOSFET'in kapısını doğrudan aktivasyon voltaj kaynağına bağlayın.
Pozitif beslemeyi yük terminallerinden birine bağlı tutun ve yükün diğer terminalini MOSFET'in tahliyesine bağlayın.
Son olarak, MOSFET'in kaynağını toprağa bağlayın ....... YAPILDI, BJT'yi dakikalar içinde bir mosfet ile değiştirdiniz.

Prosedür, bir PNP BJT'nin bir P-kanallı MOSFET ile değiştirilmesi için bile yukarıdaki gibi kalacaktır, sadece ilgili besleme kutuplarını tersine çevirmeniz gerekecektir.